Investigation on Holding Voltage of H-gate Silicon-on-Insulator (SOI) MOS as ESD Protection Device
Investigation on Holding Voltage of H-gate Silicon-on-Insulator (SOI) MOS as ESD Protection Device
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H门绝缘体硅(SOI) MOS作为ESD保护器件的保持电压研究
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
韩郑生
中科院分区：
文献类型：
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作者：
姜一波;曾传滨;罗家俊;韩郑生
