IV族半導体EにおけるCo系ホイスラー合金薄膜の室温エピタキシャル成長
IV族半導体EにおけるCo系ホイスラー合金薄膜の室温エピタキシャル成長
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IV族半导体E族钴基霍斯勒合金薄膜的室温外延生长
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
谷川昂平,山田晋也,沖宗一郎,河野慎,宮尾正信,浜屋宏平
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Fujita;S. Yamada. K. Sawano;H. Itoh;M. Miyao;and K. Hamaya;谷川昂平,山田晋也,沖宗一郎,河野慎,宮尾正信,浜屋宏平
