Si（111）—（7×7）表面上Ge量子点的自组织生长

Si（111）—（7×7）表面上Ge量子点的自组织生长
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DOI：
10.7498/aps.51.296
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发表时间：
2005-05
期刊：
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影响因子：
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通讯作者：
张永平;闫隆;解思深;庞世谨;高鸿钧
张永平;闫隆;解思深;庞世谨;高鸿钧
中科院分区：
其他
文献类型：
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作者：
张永平;闫隆;解思深;庞世谨;高鸿钧

文献摘要

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用扫描隧道显微镜研究了Si(111)(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点.由于Ge在Si(111)(7×7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点.