H.Matsuhashi, et al.: "Self-align formation of barrier layer for Fully Self-Aligned Metallization MOSFET" Extended Abstracts (The 44th Spring Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies. 28a-PB-23.
H.Matsuhashi, et al.: "Self-align formation of barrier layer for Fully Self-Aligned Metallization MOSFET" Extended Abstracts (The 44th Spring Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies. 28a-PB-23.
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H.Matsuhashi 等人：“用于完全自对准金属化 MOSFET 的势垒层的自对准形成”扩展摘要（第 44 届春季会议，1997 年）；
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