S.Ichihara: "Characterization of dopant profiles produced by ultra-shallow As implantation and spike annealing using Medium Energy Ion Scattering (MEIS)"Nucl.Instr.and Methods. B(in press). (2004)
S.Ichihara: "Characterization of dopant profiles produced by ultra-shallow As implantation and spike annealing using Medium Energy Ion Scattering (MEIS)"Nucl.Instr.and Methods. B(in press). (2004)
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S.Ichihara：“使用中能离子散射 (MEIS) 对超浅 As 注入和尖峰退火产生的掺杂剂分布进行表征”Nucl.Instr.and 方法。
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