Comparison of electrical properties of aluminum oxide thin films on silicon and gallium arsenide substrates grown by atomic layer deposition
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原子层沉积在硅和砷化镓衬底上生长的氧化铝薄膜的电学性能比较
DOI：
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发表时间：
2013
影响因子：
5.4
通讯作者：
Xiang, G.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhang, X.;Ren, H. T.;Li, R.;Xiang, G.
