強磁性体シリサイド(Fe_3Si)/半導体(Ge)ヘテロ界面の原子層制御
強磁性体シリサイド(Fe_3Si)/半導体(Ge)ヘテロ界面の原子層制御
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铁磁硅化物(Fe_3Si)/半导体(Ge)异质界面的原子层控制
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
宮尾正信
中科院分区：
文献类型：
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作者：
上田公二;熊野 守;安藤裕一郎;佐道泰造;鳴海一雅;前田佳均;宮尾正信
