A polarization-analyzing CMOS image sensor with metal wire grid in 65-nm standard CMOS technology for in-situ chiral analysis
A polarization-analyzing CMOS image sensor with metal wire grid in 65-nm standard CMOS technology for in-situ chiral analysis
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具有金属线栅的偏振分析 CMOS 图像传感器，采用 65 nm 标准 CMOS 技术，用于原位手性分析
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Jun Ohta
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Norimitsu Wakama;Daisuke Okabayashi;Toshihiko Noda;Kiyotaka Sasagawa;Takashi Tokuda;Kiyomi Kakiuchi;Jun Ohta
