Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors
Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors
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N 极 GaN/AlGaN 金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管中的反向偏压退火效应
DOI：
10.35848/1347-4065/ac2214
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发表时间：
2021
影响因子：
1.5
通讯作者：
Matsuoka Takashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Prasertsuk Kiattiwut;Suemitsu Tetsuya;Matsuoka Takashi
