Hot-mesh CVD法を用いたSiC/Si(111)基板上へのGaN成長~AlNバッファー層の効果~
Hot-mesh CVD法を用いたSiC/Si(111)基板上へのGaN成長~AlNバッファー層の効果~
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使用热网 CVD 方法在 SiC/Si(111) 衬底上生长 GaN ~AlN 缓冲层的效果~
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
赤羽正志
中科院分区：
文献类型：
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作者：
深田祐介;田村和之;黒木雄一郎;末光眞希;伊藤隆;成田克;遠藤哲郎;中澤日出樹;高田雅介;安井寛治;赤羽正志
