"Defect position analysis in MoS2 FETs by random telegraphic signals"
"Defect position analysis in MoS2 FETs by random telegraphic signals"
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“通过随机电报信号分析 MoS2 FET 中的缺陷位置”
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
鳥海 明
中科院分区：
文献类型：
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作者：
方 楠;長汐 晃輔;鳥海 明
