Study of Proton Irradiation Effects on p- and n-Type GaN Based-on Two-Terminal Resistance Dependence on 380keV Proton Fluence
Study of Proton Irradiation Effects on p- and n-Type GaN Based-on Two-Terminal Resistance Dependence on 380keV Proton Fluence
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基于380keV质子注量的两端电阻依赖性的p型和n型GaN质子辐照效应研究
DOI：
10.1587/transele.e97.c.409
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发表时间：
2014
影响因子：
0.5
通讯作者：
and T. Ohshima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Okada;Y. Okada;H. Sekiguchi;A. Wakahara;S. Sato;and T. Ohshima
