Atomic Layer Deposition of HfO2 Using Hf[N(C2H5)2]4 and H2O
Atomic Layer Deposition of HfO2 Using Hf[N(C2H5)2]4 and H2O
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使用 Hf[N(C2H5)2]4 和 H2O 原子层沉积 HfO2
DOI：
10.1143/jjap.45.7091
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Nakajima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Yokoyama;Shiyang Zhu;A. Nakajima
使用四（二乙氨基）铪 (TDEAH) + H2O 气体系统，在 300 °C 下，通过原子层沉积 (ALD) 在各种 Si 表面（裸硅、化学氧化物和热氧化物）上形成 HfO2 薄膜。在所有表面条件下，生长都没有表现出潜伏期。裸露硅和化学氧化物上的沉积速率估计为 0.10 nm/循环，热氧化物上的沉积速率为 0.06 nm/循环。通过卢瑟福背散射光谱证实沉积薄膜为化学计量的 HfO2，并且 Al/ALD-HfO2/SiOx/Si 电容器与最近报道的数据具有相当的电性能。
HfO2 thin films were formed by atomic layer deposition (ALD) using a tetrakis(diethylamino)hafnium (TDEAH) + H2O gas system at 300 °C on various Si surfaces: bare Si, chemical oxide, and thermal oxide. The growth showed no incubation period under all surface conditions. The deposition rate was estimated to be 0.10 nm/cycle for deposition on the bare Si and chemical oxide, and 0.06 nm/cycle on the thermal oxide. The deposited films were confirmed to be stoichiometric HfO2 by Rutherford backscattering spectroscopy, and Al/ALD-HfO2/SiOx/Si capacitors have comparable electrical properties with respect to recently reported data.