Modeling of band-to-band tunneling in ultra-thin GaSb and InAs gate-all-around nanowire tunnel FETs
Modeling of band-to-band tunneling in ultra-thin GaSb and InAs gate-all-around nanowire tunnel FETs
复制标题
超薄 GaSb 和 InAs 环栅纳米线隧道 FET 中带间隧道效应的建模
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and N. Mori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Okada;J. Hattori;K. Fukuda;T. Ikegami;and N. Mori
