Ab initio FP-LAPW study of the semiconductors SnO and SnO2
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DOI：
10.1016/j.physb.2006.07.041
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发表时间：
2007-02
影响因子：
2.8
通讯作者：
L. Errico
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. Errico
