S4およびS5セグメントのフェニルアラニン残基がつくる電位センサードメインに対する物理的な障壁がKCNQ1/KCNE1チャネルのゲーティングを遅くする
S4およびS5セグメントのフェニルアラニン残基がつくる電位センサードメインに対する物理的な障壁がKCNQ1/KCNE1チャネルのゲーティングを遅くする
复制标题
S4 和 S5 片段中的苯丙氨酸残基对电压传感器域产生的物理屏障会减慢 KCNQ1/KCNE1 通道的门控
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
久保義弘
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
中條浩一;久保義弘
