Y.Hattori: "Growth Mechanism of 3CーSiC Layers at a Low Temperature Region in a Lowーpressure CVD" 7th Intern.Conf.on Vapour Growth and Epitaxy (ICVGEー7) Nagoya 1991. (1991)
Y.Hattori: "Growth Mechanism of 3CーSiC Layers at a Low Temperature Region in a Lowーpressure CVD" 7th Intern.Conf.on Vapour Growth and Epitaxy (ICVGEー7) Nagoya 1991. (1991)
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Y.Hattori：“低压 CVD 低温区 3C-SiC 层的生长机制”第 7 届 Intern.Conf.on 气相生长和外延 (ICVGE-7) 名古屋 1991。(1991)
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