単一の重イオンが6H-SiC MOSFETのドレイン誘起する過渡電流
単一の重イオンが6H-SiC MOSFETのドレイン誘起する過渡電流
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6H-SiC MOSFET 漏极中单个重离子感应的瞬态电流
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小野田忍
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小野田忍;岩本直也;小野修一;片上崇治;新井学;河野勝泰;大島武;小野田忍;小野田忍;小野田忍;小野田忍
