Fluorine-Plasma Surface Treatment for Gate Forward Leakage Reduction in AlGaN/GaN HEMTs
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用于减少 AlGaN/GaN HEMT 中栅极正向泄漏的氟等离子体表面处理
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期刊：
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通讯作者：
陈万军
中科院分区：
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作者：
陈万军
