Theoretical and experimental limits of quantitative analysis of strain and chemistry of inGasAs/GaAs layers using (200) dark-fiel TEM imaging
Theoretical and experimental limits of quantitative analysis of strain and chemistry of inGasAs/GaAs layers using (200) dark-fiel TEM imaging
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使用 (200) 暗场 TEM 成像对 inGasAs/GaAs 层的应变和化学进行定量分析的理论和实验极限
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Leifer
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Cagnon;P. Buffat;P. Stadelmann;K. Leifer
