随机栅长变化引起纳米MOSFET失配模型

随机栅长变化引起纳米MOSFET失配模型
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DOI:
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发表时间:
2016
期刊:
计算机辅助设计与图形学学报
影响因子:
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通讯作者:
孙玲玲
孙玲玲
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
吕伟锋;王光义;林弥;孙玲玲

文献摘要

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