表面増強ラマン分光法による歪SiGe薄膜のLO/TOフォノン励起

表面増強ラマン分光法による歪SiGe薄膜のLO/TOフォノン励起
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通过表面增强拉曼光谱在应变 SiGe 薄膜中激发 LO/TO 声子

DOI:
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发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
小椋厚志
小椋厚志
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
山本章太郎;小瀬村大亮;シティノルヒダヤー・ビンティ・チェモハマドユソフ;木嶋隆浩;今井亮佑;臼田宏治;小椋厚志

文献摘要

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