Impact of temperature variation on CNTFET device characteristics
Impact of temperature variation on CNTFET device characteristics
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温度变化对 CNTFET 器件特性的影响
DOI：
10.1109/care.2013.6733774
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Chaudhury
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. K. Sinha;S. Chaudhury
在本文中，我们比较和证明的优势CNTFET器件MOSFET器件在纳米制度，通过改变氧化层厚度。在此之后，我们分析了温度对CNTFET器件特性的影响。在HSPICE工具上对斯坦福大学的纳米模型39 CNTFET进行模拟后，我们观察到温度对CNTFET阈值电压的影响很小。由于阈值电压几乎没有变化，因此与MOSFET器件相比，在按比例缩小的情况下，由于温度引起的泄漏功率非常小。
In this paper we compare and justify the advantage of CNTFET devices over MOSFET devices in nanometer regime, by varying oxide thickness. Thereafter we have analyzed the effect of temperature in the characteristics of CNTFET devices. After simulation of Stanford nano-model-39 of CNTFET on HSPICE tool we observed that the effect of temperature on threshold voltage of CNTFET is negligibly small. Since there is little variation in threshold voltage so the leakage power due to temperature in scaled down scenario is very less compare to MOSFET devices.