I.Yamada: "Epitaxial Al Films Grown on Heavily Doped Si(100) Surfaces by ICB Methods for Fabricating ULSI Contacts" Proceeding of Advanced Materials 93 IV/Laser and Ion Beam Modification of Materials. 17. 255-258 (1994)
I.Yamada: "Epitaxial Al Films Grown on Heavily Doped Si(100) Surfaces by ICB Methods for Fabricating ULSI Contacts" Proceeding of Advanced Materials 93 IV/Laser and Ion Beam Modification of Materials. 17. 255-258 (1994)
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I.Yamada：“通过用于制造 ULSI 触点的 ICB 方法在重掺杂 Si(100) 表面上生长的外延 Al 薄膜”《先进材料 93 IV/材料的激光和离子束改性》论文集。
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