集光照射下でのSi基板のHall移動度の温度依存性

集光照射下でのSi基板のHall移動度の温度依存性
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聚焦照射下硅衬底霍尔迁移率的温度依赖性

DOI:
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发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
福山敦彦
福山敦彦
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
髙内健二郎;碇哲雄;西岡賢祐;福山敦彦

文献摘要

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