ROOM-TEMPERATURE LASER OPERATION OF QUANTUM-WELL GA(1-X)ALXAS-GAAS LASER-DIODES GROWN BY ORGANOMETALLUIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
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DOI：
10.1063/1.90026
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发表时间：
1978-01-01
影响因子：
4
通讯作者：
CHIN, R
中科院分区：
文献类型：
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作者：
DUPUIS, RD;DAPKUS, PD;CHIN, R
