Growth condition dependence of Ge doping into β-FeSi_2 epitaxial film by MBE method
Growth condition dependence of Ge doping into β-FeSi_2 epitaxial film by MBE method
复制标题
MBE法掺入β-FeSi_2外延薄膜的Ge生长条件依赖性
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Noda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
寺井慶和;野田慶一;野田慶一;K. Noda
