InGaAs single crystal using a GaAs seed grown with the vertical gradient freeze technique
InGaAs single crystal using a GaAs seed grown with the vertical gradient freeze technique
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使用垂直梯度冷冻技术生长的 GaAs 晶种的 InGaAs 单晶
DOI：
10.1016/s0022-0248(98)00925-7
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发表时间：
1999
影响因子：
1.8
通讯作者：
H. Ishikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Nishijima Yoshito;K. Nakajima;K. Otsubo;H. Ishikawa
