六方晶窒化ホウ素をゲート絶縁体として用いたVO2 FETにおける高効率抵抗変調
六方晶窒化ホウ素をゲート絶縁体として用いたVO2 FETにおける高効率抵抗変調
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使用六方氮化硼作为栅极绝缘体的 VO2 FET 的高效电阻调制
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
田中秀和
中科院分区：
文献类型：
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作者：
安西勇人;山本真人;神吉輝夫;渡邊賢司;谷口尚;松本和彦;田中秀和
