25 GHz Soliton Microcombs in High-Q Si3N4 Racetrack-Shaped Microresonators
25 GHz Soliton Microcombs in High-Q Si3N4 Racetrack-Shaped Microresonators
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高 Q Si3N4 跑道形微谐振器中的 25 GHz 孤子微梳
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
V. Torres‐Company
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Z. Ye;F. Lei;Krishna Twayana;M. Girardi;P. Andrekson;V. Torres‐Company
我们在 Si3N4 平台上展示了使用新颖的减法方法制造的 25 GHz 单孤子梳。长腔经过精心设计，适合电子束写入场，同时最大限度地减少与高阶模式的耦合。
We demonstrate a 25 GHz single-soliton comb on a Si3N4 platform fabricated using a novel subtractive method. A long cavity is carefully designed to fit within the e-beam writing field while minimizing coupling to higher-order modes.