Development of nano-scale measurement techniques for stress assessment in Si-based semiconductors

Development of nano-scale measurement techniques for stress assessment in Si-based semiconductors
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开发用于硅基半导体应力评估的纳米级测量技术

DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
New Frontiers of Process Science and Engineering in Advanced Materials, Part 2. 2
影响因子：
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通讯作者：
G.Pezzotti
G.Pezzotti
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
A.Leto;A.Loreto;T.Hosokawa;Y.Yabuuchi;T.Valente;G.Pezzotti

文献摘要

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