Selective Area Growth of Semipolar (20-21) and (20-2-1) GaN substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
Selective Area Growth of Semipolar (20-21) and (20-2-1) GaN substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
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通过金属有机气相外延选择性区域生长半极性 (20-21) 和 (20-2-1) GaN 衬底
DOI：
10.7567/jjap.52.08jc06
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发表时间：
2013
影响因子：
1.5
通讯作者：
and Satoru Nagao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Daiki Jinno;Bei Ma;Hideto Miyake;Kazumasa Hiramatsu;Yuuki Enatsu; and Satoru Nagao
