[110]および[100]方向マルチシリコンナノワイヤGAA MOSトランジスタにおける移動度評価
[110]および[100]方向マルチシリコンナノワイヤGAA MOSトランジスタにおける移動度評価
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[110]和[100]方向多硅纳米线GAA MOS晶体管的迁移率评估
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jiezhi Chen;T. Saraya;K. Miyaji;K. Shimizu;T. Hiramoto
