E.Tokumitsu, G.Fujii and H.Ishwara: "Electrical Properties of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor (MFIS)-and Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator Semiconductor (MFMIS)-FETs Using Ferroelectric SrBi_2Ta_2O_9 Film and SrTa_2O_6/SiON Buffer Layer"Jpn.
E.Tokumitsu, G.Fujii and H.Ishwara: "Electrical Properties of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor (MFIS)-and Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator Semiconductor (MFMIS)-FETs Using Ferroelectric SrBi_2Ta_2O_9 Film and SrTa_2O_6/SiON Buffer Layer"Jpn.
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E.Tokumitsu、G.Fujii 和 H.Ishwara：“使用铁电 SrBi_2Ta_2O_9 薄膜和 SrTa_2O_6/SiON 缓冲层的金属-铁电-绝缘体-半导体 (MFIS) 和金属-铁电-金属-绝缘体半导体 (MFMIS)-FET 的电气特性
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