Current collapse suppression in AlGaN/GaN HEMTs by means of slant field plates fabricated by multi-layer SiCN
Current collapse suppression in AlGaN/GaN HEMTs by means of slant field plates fabricated by multi-layer SiCN
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通过多层 SiCN 制造的倾斜场板抑制 AlGaN/GaN HEMT 中的电流崩塌
DOI：
10.1016/j.sse.2014.06.022
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发表时间：
2014
影响因子：
1.7
通讯作者：
Tetsuya Suemitsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kengo Kobayashi;Shinya Hatakeyama;Tomohiro Yoshida;Daniel Piedra;Tomás Palacios;Taiichi Otsuji;Tetsuya Suemitsu
