THE ELECTRONIC STRUCTURE OF METALLO-SILICON CLATHRATES NAXSI136 (X=0, 4, 8, 16 AND 24)
THE ELECTRONIC STRUCTURE OF METALLO-SILICON CLATHRATES NAXSI136 (X=0, 4, 8, 16 AND 24)
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金硅包合物NAXSI136(X=0、4、8、16和24)的电子结构
DOI：
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Tse
中科院分区：
文献类型：
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作者：
V. I. Smelyansky;J. Tse
