Low temperature deposition of SiO2 and PSG using SiH4, N2O and phosphorous vapour for damage-free passivation of InP-based PIN diodes by plasma- and photo-assisted LPCVD
Low temperature deposition of SiO2 and PSG using SiH4, N2O and phosphorous vapour for damage-free passivation of InP-based PIN diodes by plasma- and photo-assisted LPCVD
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使用 SiH4、N2O 和磷蒸气低温沉积 SiO2 和 PSG，通过等离子体和光辅助 LPCVD 对 InP 基 PIN 二极管进行无损伤钝化
DOI：
10.1016/0169-4332(93)90518-g
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发表时间：
1993
影响因子：
6.7
通讯作者：
H. Kräutle
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Riemenschneider;N. Dasgupta;R. Schütz;H. Hartnagel;H. Kräutle
