T. Sakurai: "Low interface state density of SiC-based metal-oxide-semiconductor structure formed with perchloric acid at 203℃"Appl. Phys. Lett.. (submitted to).
T. Sakurai: "Low interface state density of SiC-based metal-oxide-semiconductor structure formed with perchloric acid at 203℃"Appl. Phys. Lett.. (submitted to).
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T. Sakurai：“203℃下用高氯酸形成的SiC基金属氧化物半导体结构的低界面态密度”Lett..（已提交）。
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