Improvement of the electrical properties of Al2O3/AlGaN/GaN MOSHFETs by(NH4) 2S surface treatments
Improvement of the electrical properties of Al2O3/AlGaN/GaN MOSHFETs by(NH4) 2S surface treatments
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(NH4)2S表面处理改善Al2O3/AlGaN/GaN MOSHFET的电性能
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
E. Miyazaki and T. Mizutani
中科院分区：
文献类型：
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作者：
宮崎英志;岸本茂;水谷孝;前田祐作; 寺尾京平; 鈴木孝明; 下川房男; 高尾英邦;Mikio Sorimachi;E. Miyazaki and T. Mizutani
