Depletion-mode In0.2Ga0.8As/GaAs MOSFET with molecular beam epitaxy grown Al2O3/Ga2O3(Gd2O3) as gate dielectrics
Depletion-mode In0.2Ga0.8As/GaAs MOSFET with molecular beam epitaxy grown Al2O3/Ga2O3(Gd2O3) as gate dielectrics
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采用分子束外延生长 Al2O3/Ga2O3(Gd2O3) 作为栅极电介质的耗尽型 In0.2Ga0.8As/GaAs MOSFET
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Kwo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Cheng;T. Lin;T. Chiang;H. Chiu;P. Chang;M. Hong;J. Kwo
