Analysis of Atomic Arrangement at 3C-SiC/Si(001) Interface by Aberration-Corrected Transmission Electron Microscopy and a New Image Processing Method
Analysis of Atomic Arrangement at 3C-SiC/Si(001) Interface by Aberration-Corrected Transmission Electron Microscopy and a New Image Processing Method
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通过像差校正透射电子显微镜和新的图像处理方法分析 3C-SiC/Si(001) 界面的原子排列
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and N. Tanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Yamasaki;S. Inamoto;H. Tamaki;K.Okazaki-Maeda;and N. Tanaka
