Time Response to The Gate Voltagein Strongly Correlated TransistorsUsing Epitaxial VO2/TiO2 Stacks
Time Response to The Gate Voltagein Strongly Correlated TransistorsUsing Epitaxial VO2/TiO2 Stacks
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使用外延 VO2/TiO2 堆栈的强相关晶体管中栅极电压的时间响应
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Yajima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Yajima;T. Nishimura;A. Toriumi;T. Yajima;T. Yajima;T. Yajima
