Effect of substrate surface on GaN dot structure grown on Si(111) by droplet epitaxy

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衬底表面对 Si(111) 上液滴外延生长 GaN 点结构的影响

DOI:
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发表时间:
2007
期刊:
Phys. Stat. sol. No.7
影响因子:
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通讯作者:
S. Naritsuka
S. Naritsuka
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
H. Otsubo;T. Kondo;Y. Yamamoto T. Maruyama;S. Naritsuka

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