A new ferroelectric undoped hafnium oxide film on n+-Si(100) substrate by a novel mist chemical vapor deposition
A new ferroelectric undoped hafnium oxide film on n+-Si(100) substrate by a novel mist chemical vapor deposition
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通过新型雾气化学气相沉积在 n -Si(100) 衬底上制备新型铁电未掺杂氧化铪薄膜
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Yoshimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Tahara;H. Nishinaka;M. Noda;and M. Yoshimoto
