0.18 μm CMOSプロセス差分光再構成型ゲートアレイVLSI
0.18 μm CMOSプロセス差分光再構成型ゲートアレイVLSI
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0.18μm CMOS工艺差分光学可重构门阵列VLSI
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
渡邊貴弘，渡邊実
中科院分区：
文献类型：
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作者：
渡邊貴弘，渡邊実;余座貴志，渡邊 実;渡邊貴弘，渡邊実
