分子線堆積法によるSiOx/半導体基板上へのInAs量子ドットの自己形成(2)
分子線堆積法によるSiOx/半導体基板上へのInAs量子ドットの自己形成(2)
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通过分子束沉积在 SiOx/半导体基底上自形成 InAs 量子点 (2)
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
坂本克好，曽我部東馬，山口浩一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
馬飼野彰宜;坂本克好，曽我部東馬，山口浩一
