The research of the crystal growth technology which controlled the polarity of GaN
The research of the crystal growth technology which controlled the polarity of GaN
复制标题
控制GaN极性的晶体生长技术的研究
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takayuki Nakano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
秋本雅史;山下和輝;岩澤雄太;高橋祐介;川本益揮;長瀬裕;Takayuki Nakano
