1.3 mm InAs/GaAs quantum dots on silicon wafer fabricatedwith DVS-BCB bonding
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采用 DVS-BCB 键合在硅晶圆上制造 1.3 mm InAs/GaAs 量子点
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
森雅彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
岡野誠;天野建;菅谷武芳;五島敬史郎;山本宗継;小森和弘;森雅彦
