Pressure contact assembly technology of high power devices
Pressure contact assembly technology of high power devices
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DOI：
10.1109/ispsd.1997.601422
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发表时间：
1997-05
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Matsuda;M. Hiyoshi;N. Kawamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Matsuda;M. Hiyoshi;N. Kawamura
本文介绍了压力接触技术在大功率半导体器件中的应用。具体应用到多芯片组件，特别是IGBT芯片，处理，并证明了改进的可靠性特性。
The paper describes pressure contact technology applied to high power semiconductor devices. Specific application to multiple chip assembly, particularly IGBT chips, is dealt with, and improved reliability characteristics are demonstrated.