Difference between O_2 and N_2 Annealing Effects on CVD-SiO_2 Film Quality Studied by Open-Circuit Measurement
Difference between O_2 and N_2 Annealing Effects on CVD-SiO_2 Film Quality Studied by Open-Circuit Measurement
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开路测量研究O_2和N_2退火对CVD-SiO_2薄膜质量影响的差异
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.kita et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Toriumi;A.V.Baranov;K.Kita et al.;池沢道男;M.Toyama et al.;A.V.Baranov;K.Tomida et al.;K.Kyuno et al.;A.V.Fedorov;H.Shimizu et al.;Y.Masumoto;J.Qi;Y.Masumoto;Y.Masumoto;Y.Masumoto;A.V.Fedorov;K.kita et al.
